Ürünler
2.0 ila 6.0GHz Mikrostrif Sirkülatör MH1515-10 şerit hattı tipi
2.0 ila 6.0GHz Mikrostrif Sirkatör Sipariş Örnekleri
2.0 ila 6.0GHz Mikrostrif Sirkülatör Temel Özellikler
| Empedans | 50 Ω |
| Bağlayıcı tipi | Mikro şerit |
| Boyut (mm) | 15.0*15.0*3.5 |
| Çalışma sıcaklığı | -55 ~+85 ℃ |
2.0 ila 6.0GHz Mikrostrif Sirkülatör Özellikleri
| Model No. (X = 1: → saat yönünde) (X = 2: ← Kilitlenmenin yönünde) | Frek. Menzil GHz | İl. DB (maks) | İzolasyon DB (Min) | VSWR (maks) | İleri güç CW |
| MH1515-10-X/2.0-6.0GHz | 2.0-6.0 | 1.5 | 10 | 1.8 | 50 |
Talimatlar:
Bir ： Mikrostrif sirkülatörün uzun süreli depolama koşulları:
1, Sıcaklık Aralığı: +15 ℃ ~ +25 ℃
2, göreceli sıcaklık:%25 ~%60
3, güçlü manyetik alanların veya ferromanyetik maddelerin yanında saklanmamalıdır. Ve ürünler arasındaki güvenli mesafe korunmalıdır:
X-bandının üzerinde frekansları olan mikroşerit sirkülatörleri 3 mm'den fazla ayrılmalıdır
C-bant mikroşeritli sirkülatörler arasındaki algılama aralığı 8 mm'den fazladır
C-bant frekansının altındaki iki ： mikroşerit sirkülatör 15 mm'den fazla ayrılmalıdır.
2. Mikrostrif sirkülatörlerin seçiminde aşağıdaki ilkelere bakın:
1. Devreler arasında ayrıştırma ve eşleşirken, mikroşerit izolatörleri seçilebilir; Mikrostrif sirkülatör, devrede dubleks veya dairesel bir rol oynadığında kullanılabilir.
2. Karşılık gelen Mikrostrip Sirkülatör Türünü, kullanılan frekans aralığına, kurulum boyutuna ve iletim yönüne göre seçin.
3, iki boyuttaki mikrostrüktür sirkülatörünün çalışma frekansı garanti gereksinimlerini karşılayabildiğinde, daha büyük genel güç kapasitesi daha yüksektir.
Üç ： Üçüncü, Mikrostrif Sirkülatörün Kurulumu
1. Mikrostrif sirkülatör kullanılırken, mekanik hasarı önlemek için her bağlantı noktasındaki mikroşerit devresi kenetlenmemelidir.
2. Mikrostrif sirkülatörün alt kısmı ile temas eden kurulum düzleminin düzlüğü 0,01 mm'den fazla olmamalıdır.
3. Kurulmuş mikrostrip sirkülatörü kaldırılmamalıdır. Kaldırılan mikrostrüksiyon sirkülatörünün artık kullanılmaması önerilir.
4. Vidalar kullanılırken, alt plakanın deformasyonunu önlemek için dip, indiyum veya kalay gibi yumuşak baz malzemeleri ile yastıklanmamalıdır; Diyagonal sekansla vidaları sıkın, kurulum torku: 0.05-0.15nm
5. Yapıştırıcı takıldığında, kürleme sıcaklığı 150 ℃ 'den fazla olmamalıdır. Kullanıcının özel gereksinimleri olduğunda (önce bilgilendirilmesi gerekir), kaynak sıcaklığı 220'den fazla olmamalıdır.
6. Mikrostrif sirkülatörün devre bağlantısı, bakır şerit veya altın şerit/bağın manuel lehimlenmesi ile bağlanabilir
A. Bakır Kayışı Manuel Kaynak Bağlantısı Bakır Kayış'a Bağlantı ω Köprü olmalıdır, sızıntı aşağıdaki şekilde gösterildiği gibi bakır kayış oluşturma yerine sızmamalıdır. Ferritin yüzey sıcaklığı kaynaktan önce 60-100 ℃ arasında tutulmalıdır.
B, Altın Kemeri/Tel Bağlama Araç kullanımı, Altın kuşağının genişliği mikroşerit devresinin genişliğinden daha azdır, çoklu bağlanmaya izin verilmez, bağlanma kalitesi GJB548b Method 2017.1 Madde 3.1.5, bağlama mukavemeti GJB548B Yöntemi 2011.1 ve 2023.2 gereksinimlerini karşılamalıdır.
Dört ： Mikrostrif sirkülatör kullanımı ve önlemler
1. Mikroşerit devresinin temizlenmesi, devre bağlantısından önce temizlik ve bakır şerit ara bağlantısından sonra kaynak noktası temizlemesini içerir. Temizlik, akıyı temizlemek için alkol, aseton ve diğer nötr çözücüler kullanmalı, temizleme maddesi, kalıcı mıknatıs, seramik tabaka ve devre substratı arasındaki bağlanma alanına infiltrasyondan kaçınmak için bağlanma mukavemetini etkilemelidir. Kullanıcının özel gereksinimleri olduğunda, akı alkol ve deiyonize su gibi nötr çözücülerle ultrasonik temizleme ile temizlenebilir ve sıcaklık 60 ° C'yi geçmemeli ve süre 30 dakikayı geçmemelidir. Deiyonize su, ısı ve kuru ile temizlendikten sonra sıcaklık 100 ℃'yi aşmaz.
2, kullanıma dikkat etmeli
A. Ürünün çalışma frekansı aralığını ve çalışma sıcaklığı aralığını aşan ürün performansı azaltılacak, hatta resiprocal olmayan özelliklere sahip olmayacaktır.
B. Mikrostrif sirkülatörün devredilmesi önerilir. Gerçek gücün nominal gücün% 75'inden daha az olması önerilir.
C. Ürün yanlılığı manyetik alanını değiştiren ve ürün performansı değişikliklerine neden olmak için güçlü manyetik alanı önlemek için ürünün kurulumunun yakınında güçlü bir manyetik alan olmamalıdır.
